（），硅太阳电池开始在地面应用。

用（）制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作光伏器件和大功率器件。

导电类型是（）所专有的一个概念。

光伏产业链的中游环节包括（）。

当硅中掺入III族元素时，如（）等，就会形成P型材料。

1954年，第一块实用的单晶硅光电池效率为（）。

用于地面已批量生产的太阳电池材料主要有单晶硅、多晶硅与（）。

薄膜电池材料目前不包括（）。

光伏效应的英文简称是（）。

光电转换实现的基本装置是（）。

20世纪70年代初，（）开始引人到电池的制造工艺中，太阳电池转换效率有了较大提高。

近年来针对单晶硅太阳电池转换效率开发了许多新技术，主要有（）。

常用的半导体材料的特性参数有（）。

常用的半导体材料的特性参数有（）。

高纯多晶硅是（）的主要原料。

铸造多晶硅在（）方面不如单晶硅。

薄膜电池材料包括（）。

半导体材料的电阻率介于（）和（）之间。

光伏产业链包括（）环节。

半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为（）。

硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用。

由于生产规模的扩大，生产工艺的改进，晶体硅太阳电池组件的制造成本20XX年有望降至1美元/Wp。

光伏材料又称太阳电池材料，只有半导体材料具有这种功能。

位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。

20世纪70年代末硅太阳电池开始在地面应用。

太阳能发电是一种新兴的可再生能源利用方式。

禁带宽度越大，晶体管正常工作的高温限也越高。

对于非晶态半导体，位错也是反映其晶格完整性的特性参数。

金属的电阻率很高，绝缘体的电阻率非常小，半导体材料的电阻率介于两者之间。

载流子即半导体中参加导电的电子和空穴。

将下列太阳电池种类与电池组件光电转换效率一一对应。 1).单晶硅 2).多晶硅 3).非晶硅

将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。 1).元素半导体 2).化合物半导体 3).无定形半导体材料

将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。 1).禁带宽度 2).电阻率、载流子迁移率 3).非平衡载流子寿命

将下列切割方式与特点一一对应。 1).外圆切割 2).内圆切割 3).带锯切割

将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。 1).单晶硅太阳电池 2).多晶硅太阳电池 3).非晶硅单结太阳电池

将下列硅片几何尺寸参数一一对应。 1).THK 2).TTV 3).Warp

将下列硅太阳电池发展历程一一对应。 1).1958年 2).20世纪70年代初 3).20世纪80年代初

将下列事件与时间关系等一一对应。 1).1839年 2).1876年 3).1954年

将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因一一对应。 1).反射遮荫等光学损失 2).载流子复合损失 3).连接转换等电学损失

10.将下列线切割经常出现的问题与可能的原因一一对应。 1).断线 2).跳线 3).花片