太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会"定义为101 号标准，其中光谱辐照度为()。

悬浮区熔方法制备的区熔单晶硅，纯度()，电学性能（）

内圆切割机切片的速度（），硅材料的损耗很（），效 率（），切片后硅片的表而损伤大。

太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101 号标准，其中电池温度为（）。

常规电池的厚度（）,开路电压及填充因子（）。

目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺,肩部形成一个 近（）的夹角。

粒子（）差别的存在是产生扩散运动的必要条件。

电池烧结前先对电极进行（）,之后再进行烧结。

常规硅太阳电池工艺中，形成电池PN结的主要方法是（）

硅片清洗必须按照的次序清洗，才能除去硅片表而的 油脂、蜡等有机物。

太阳电池的光电转换效率哪些因素有关（）。

太阳电池的测试方法包括（）。

制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法，硼扩散法 的优点是（）。

固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较，其有如下的特点（）

多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由（）组成。

硅材料的选料主要包括（）。

离子注入法具有的特点主要有（）。

常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为（）

单晶硅锭的两种常见生产工艺有（）。

碱腐蚀法的酸腐蚀法对比，其优点是（）

水汽氧化是平面工艺最常用的方法。

制作背场可以较大地改善太阳电池的性能。

串、并联电阻对填充因子的影响极小，可以忽略不计。

利用区熔单晶硅制备的太阳电池的光电转换效率高，且 生产成本低，应用广泛。

晶而间的共价键密度越低，则该晶而越容易被腐蚀。

光伏电池具有对称的电子学结构。

光伏电池可以用于微波中继站电源供给，作为无线电通 讯系统电源。

多晶硅一般采用碱溶液对进行表面腐蚀制绒。

硅片进行表而腐蚀，其作用是去除表而的切片机械损 伤。

常规硅太阳电池工艺中，形成电池PN结的主要方法是 合金法。

提高硅太阳电池效率的几种途径，请匹配。 (1)紫光电池 (2)M1S电池 (3)聚光电池

硅片表面污染的杂质可分类为。 (1)分子型杂质 (2)离子型杂质 (3)原子型杂质

太阳电池组件的测量必须在标准条件下进行，测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其条件是。 (1)光谱辐照度 (2)光谱 (3)电池温度

硅片的一般清洗顺序是，请按步骤一一匹配。 (1)有机溶剂去油 (2)去除残留的有机和无机杂质 (3)清洗液彻底清洗

将下列常用儿种氧化方法一一匹配。 (1)水汽氧化法 (2)干氧氧化法 (3)湿氧氧化法

将下列概念与意义作用一一匹配。 (1)腐蚀 (2)扩散 (3)绒而

太阳电池的等效电路中，暗电流表达式 式中各项分别指代 (1)U (2)Q (3)A

电池的总短路电流是全部光谱段贡献的总和，用表达式 表示如下： 式中各项分别指代。 (1)A 0 (2)R(A ) (3)F(A )

将下列常用减反射膜一一匹配。 (1)SiO膜 (2)Ti02膜 (3)Si3N4膜

将下列扩散源一一匹配。 (1)液态源扩散A五氧化二磷 (2)涂布源扩散B硼酸三甲酯 (3)固态源扩散C氮化硼