以下()为价带的有效状态密度计算公式。

下列哪项不属于配位数的可能值()。

自然界的晶体结构只有()种。

空间点阵可分为()晶系。

PN结中的总的电子电流计算公式为()。

在PN结中施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为，在300K 时Si突变结的接触电势差VD为（）

300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导 体,欲使得错中的费米能级低于导带底能量0.15eV,施 主掺杂浓度ND为（）o

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是（）

体心立方堆积空间利用率为（）。

空穴的漂移电流为（）。

晶体结合的基本形式可分为（）

点缺陷对材料造成的影响有（）。

本征半导体电子浓度和空穴浓度是（）

平衡PN结其扩散电流与漂移电流（）

PN结在光照作用下发生的变化是（）

正格子原胞体积与倒格子原胞体积互为倒数，表达正确 的是（）

以下对弗仑克尔缺陷的特点描述正确的是（）。

P型半导体是在本征半导体中掺入受主杂质在扩散作用 下形成的，其特征为()

晶体缺陷按照缺陷的几何形状和涉及的范围可以分为()

以下对半导体性能描述正确的是()

晶体在不同方向上具有相同的周期性。

在熔化过程中，晶体的长程序解体时对应着一定的熔 点，非晶体也有固定的熔点。

组成缺陷包括替位式杂质原子和填隙式杂质原子。

对于一定的晶格，结点所占的体积是一定的，面间距大 的晶面上，格点的而密度小。

非晶体内部的原子、分子排列整齐，有周期性规律。

晶体缺陷是固体物理中的重要研究领域。

在不同的带轴方向上，晶体中原子排列情况不同，晶体 性质也不同。

在晶体中，位于晶格点阵上的原子是静止不动的。

晶体内的位错滑移是使临界切应力大为减小的主要原 因。

对于结构相同的晶体，滑移方向和滑移而通常不相同。

根据均摊法，将晶胞中处于不同位置上的原子与晶胞所含 原子个数的计算方法一一对应。 (1)处于顶点的原子 (2)处于棱上的原子 (3)处于而心的原子

将晶体金属中原子堆积方式一一对应。 (1)六方密堆积 (2)面心立方密堆积 (3)体心立方堆积

P型半导体的费米能级随受主杂质浓度的增加而变化，根 据变化图将以下符号表达的意义一一对应。 (1)Ec (2)Ev (3)Ef

将下列不同半导体的费米能级求解公式一一对应。 (1)本征半导体费米能级 (2)N型半导体费米能级 (3)P型半导体费米能级

将下列定义与其计算公式一一对应 (1)导带的有效状态密度 (2)导带中电子浓度 (3)价带中空穴浓度

将下列关于晶体结构的描述一一对应。 (1)晶棱 (2)晶带 (3)晶带带轴

将以下物质室温下的本征载流子浓度一一对应。 (1)Si (2)GaAs (3)Ge

同一品种的晶体，两个对应晶而间的夹角恒定不变。将石 英晶体的各面间夹角情况一一对应。 (1)a、b (2)a、c (3)b、c

对称操作过程中保持不变的几何要素称为对称元素，将以 下对称元素的定义一一对应。 (1)点 (2)线 (3)而

将下列晶体缺陷类型与描述一一对应。 (1)点缺陷 (2)线缺陷 (3)而缺陷