铜铟镓硒薄膜太阳电池最高转换效率的记录（）。

二氧化钛的几种晶体结构中最适合用于太阳电池的是（）。

非晶硅的PIN结构的P部分是采用（）形成的。

非晶硅的禁带宽度为（）。

关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（）。

非晶硅太阳电池的转换效率约为（）。

非晶硅薄膜的厚度约为（）。

锐钛矿相二氧化钛晶体的禁带宽度为（）。

以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（）。

铟储量最多的国家是（）。

旋涂成膜存在的问题有（）。

化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。

辉光放电系统中的I-V特性曲线可分为（）阶段。

可用于多孔纳米晶薄膜的材料有（）。

常用的多晶硅薄膜的制备方法有（）。

关于D/A界面说法正确的是（）。

有机太阳电池产生电流的流程（）。

关于光致衰减效应说法正确的是（）。

染料敏化太阳电池的基本结构包括（）。

有机太阳电池基本的结构模型有（）。

有机太阳电池中电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主（Donor，简称D型材料），相当于无机半导体中的P型材料。

非晶硅太阳电池中也存在晶体硅太阳电池中一样的pn节结构。

非晶硅太阳电池生产出来以后，转换效率不会随时间发生改变。

高纯硅原料价格增加，对薄膜太阳电池的成本影响不大。

苝衍生物是一种应用较多的光敏剂和A型材料，在450到600nm波段内具有较强的吸收，在光照条件下稳定性好，成本低。

单晶硅与多晶硅的物理特性是各向异性，而非晶硅的物理特性是各向异性

随着非晶硅中氢含量的增加，其能隙宽度从1.5eV可以增加到1.8eV。

在150～200℃热处理，可以使得因为S-W效应而效率降低的非晶硅太阳电池恢复原来的状态。

PECVD技术即可用于非晶硅薄膜太阳电池的制备，也可用于多晶硅薄膜太阳电池的制备。

酞菁类化合物是典型的D型有机半导体。

将以下太阳电池与其特点一一对应。 （1）晶体硅 （2）非晶硅薄膜 （3）碲化镉

将以下太阳电池与其特点一一对应。 （1）有机半导体薄膜 （2）染料敏化太阳电池 （3）多晶硅薄膜

将太阳电池与转换效率一一对应。 （1）单晶硅太阳电池 （2）非晶硅薄膜太阳电池 （3）有机太阳电池

将以下太阳电池与其特点一一对应。 （1）非晶硅 （2）多孔纳米晶 （3）铜铟镓硒

将有机半导体薄膜制备方法与描述一一对应。 （1）旋转涂层法 （2）有机气相沉积法 （3）丝网印刷技术

将化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜方法与描述一一对应。 （1）等离子增强化学气相沉积 （2）低压化学气相沉积 （3）热丝化学气相沉积

将太阳电池与其禁带宽度一一对应。 （1）非晶硅 （2）铜铟镓硒 （3）碲化镉

将有机小分子化合物与描述一一对应。 （1）酞菁类化合物 （2）苝衍生物 （3）并五苯

将PECVD是充入气体与形成的半导体类型一一对应。 （1）SiH4 （2）SiH4加PH3 （3）SiH4加B2H6

非晶硅晶化制备多晶硅薄膜方法与描述一一对应 （1）固相晶化 （2）激光晶化 （3）快速热处理晶化