关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）

占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。

在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）。

生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。

太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。

金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。

Dash工艺主要解决的是（）。

CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。

吸附时不发生任何化学变化，是（）。

区熔法制备单晶硅时，需要（）。

关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。

磷在硅中很容易去除，在于（）。

无坩埚区域提纯（）。

化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。

关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。

关于晶转说法正确的是（）。

具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。

直拉单晶炉的主室包括（）。

工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。

以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。

FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。

冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比，前者的成本更低，但是电耗更多。

只通过湿法冶金技术来提纯硅材料，是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。

化学吸附是放热过程，而物理吸附是吸热过程。

改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用，排出的废料极少。

改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。

硅是自然界分布最广泛的元素之一，是介于金属和非金属之间的半金属。

分子筛具有极性，对非极性分子具有较强的亲和力。

MCZ法磁致粘滞性控制了流体的运动，也减少了熔体的温度波动。

改良西门子法的原料主要是硅石。

将化学反应与作用一一对应。 （1）SiHCl3+H2→Si+3HCl （2）Si+3HCl→SiHCl3+H2 （3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑

将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。 （1）O （2）C （3）B

将Cz法中的设备与描述一一对应。 （1）石英坩埚 （2）石墨坩埚 （3）石墨加热器

将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。 （1）保持适宜的SiO2与碳的分子比 （2）保证反应区有足够高的温度 （3）及时捣炉，帮助沉料

将氧的存在方式及其描述一一对应。 （1）热施主 （2）新施主 （3）氧沉淀

将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。 （1）O （2）C （3）N

将工艺与提纯方法一一对应。 （1）硅烷法 （2）改良西门子法 （3）冶金

将Cz法中的工艺与描述一一对应。 （1）缩颈生长 （2）放肩生长 （3）等径生长

将工业硅的应用与用量一一对应。 （1）生产合金 （2）有机硅 （3）半导体器件和太阳能电池

将吸附的设备与工艺一一对应。 （1）流体和固体吸附剂置于同一容器内 （2）固定吸附床 （3）移动吸附器