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关于四氯化硅以下说法错误的是（）

观察晶体中位错最简单的方法是（）。

室温一个大气压下，液态水的自由度为（）。

西门子法作为硅的提纯工艺，所用的原料主要是（）

二元相图通常采用（）的坐标系。

关于硅单质说法错误的是（）。

以下（）不是自然界中的硅同位素。

关于二氧化硅以下说法错误的是（）

杂质原子与基体原子尺寸相当，容易形成（）

关于位错密度说法错误的是（）。

在绝对温度零度和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在，完全不导电。

可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。

硅晶体的半导体性源于共价键。

点缺陷的平衡浓度随温度升高呈指数关系增加。

硅在地壳中的丰度为25.90%，仅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。

柏氏矢量说明了畸变发生在什么晶向，是一个没有大小的量。

内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。

硅烷就是甲硅烷。

硅是通过自由电子导电的，所以载流子就是自由电子。

刃型位错和螺型位错的判断可以通过晶体发生局部滑移的方向是与位错线垂直还是平行来区分。

将晶体的特性与解释一一对应。（1）各向异性（2）长程有序（3）解理性

将晶体结构与晶胞中原子数一一对应。（1）简单立方结构（2）体心立方结构（3）面心立方结构

将各种硅化合物与描述一一对应。（1）二氧化硅（2）三氯氢硅（3）四氯化硅

将相图与特点一一对应（1）匀晶相图（2）共晶相图（3）包晶相图

将硅材料与描述一一对应。（1）电子级硅（2）冶金级硅（3）太阳能级硅

将晶体生长方式与实例一一对应。（1）固相生长（2）液相生长（3）汽相生长

将各种硅化合物与作用一一对应。（1）二氧化硅（2）三氯氢硅（3）甲硅烷

将各类晶体缺陷与实例一一对应。（1）点缺陷（2）线缺陷（3）面缺陷

将硅的用途与性质一一对应。（1）二极管（2）集成电路（3）光电池

将各种硅化合物与熔沸点一一对应。（1）四氯化硅（2）三氯氢硅（3）甲硅烷

关于硅的电阻率说法错误的是（）。

关于石英说法错误的是（）。

下列属于晶体的宏观特性的有（）

金刚石结构的晶胞中原子数为（），配位数为（）。

两侧晶粒位向差为1°的晶界属于（）。

不能用于区分晶体与非晶体的是（）

关于固溶体与中间相说法错误的是（）。

关于临界晶核说法错误的是（）。

关于硅的卤化物说法错误的是（）。

解理面通常是晶面间距较大的晶面。在金刚石结构中，下面晶面的晶面间距最大的是（）。